RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1208–1212 (Mi phts2942)

Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода

А. Б. Журавлев, А. Г. Плявенек, Е. Л. Портной, В. Ф. Серегин, Н. М. Стельмах, С. Д. Якубович


Аннотация: Проведены экспериментальные и теоретические исследования автомодуляционного или пичкового режима генерации гетеролазера с быстродействующим насыщающимся поглотителем, созданным с помощью облучения торца гетеролазера ионами высокой энергии. Показано, что уменьшение времени релаксации неравновесных носителей приводит к увеличению диапазона токов инжекции, при которых наблюдается автомодуляционный режим, и позволяет получить большие частоты следования (до 10 ГГц) и малые длительности (до 10 пс) оптических импульсов. Теоретическое рассмотрение сделано на основе анализа устойчивости стационарных решений системы балансных уравнений. Представленные экспериментальные данные и результаты машинного моделирования показывают хорошее согласие.



© МИАН, 2024