Отрицательная фотопроводимость и исследование границы раздела в гетеропереходах GaAs$-$AlGaAs с двумерным электронным газом

Подробно исследован эффект отрицательной фотопроводимости (ОФП) в гетероструктурах GaAs$-$AlGaAs с двумерным электронным газом, связанный с пространственным оптическим перебросом электронов из высокоподвижного двумерного канала в слой широкозонного материала. Из спектральных зависимостей эффекта определены высота потенциального барьера на гетерогранице, величина энергетического разрыва зоны проводимости ${\Delta E_{c}=(0.59\pm0.01)\Delta E_{g}}$, что неплохо согласуется с результатами других авторов. Предложена феноменологическая модель ОФП, которая хорошо описывает экспериментальные результаты.