Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне перехода металл–диэлектрик

Показана правомерность использования теории квантовых поправок к проводимости при анализе экспериментальных значений электропроводности при ${T\leqslant4.2}$ K в кристаллах $n$-GaAs и $n$-InР с концентрацией электронов ${n\gtrsim1.5\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$, т. е. при приближении к критической области перехода металл–диэлектрик, но при сохранении металлического типа проводимости.