Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц

Проведено рассмотрение конкуренции двух рекомбинационных процессов — поверхностной и оже-рекомбинации для случая плотного сгустка неравновесных носителей. По условиям задачи носители возникают «мгновенно» во времени и локализованы у поверхности мелкого $p^{+}{-}n$-перехода на время состояния плазмы (порядка нескольких наносекунд).
Установлено, что определяющую роль в динамике плазмы играет встроенное в $p^{+}$-область электрическое поле, обусловленное градиентом концентрации примеси. Для этого необходимо согласование уровня легирования ($p_{0}$) и плотности ионизации в треке ($\Delta p$) так, чтобы ${p_{0}\gg\Delta p}$.
Встроенное поле эффективно оттесняет носители от поверхности, что подавляет поверхностную рекомбинацию. Прослежена эффективность подавления (достигающая $10^{3}$ раз) в функции масштаба и уровня легирования.