Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs

Проведены исследования влияния собственных деформаций градиентных структур InAsSbP/InAs на интенсивность и спектры катодолюминесценции (КЛ) твердого раствора.
Показано, что упругие напряжения уменьшают интенсивность КЛ и смещают энергию максимума на ${6\div8}$ мэВ в область больших энергий. При измерениях с широкозонной стороны InAsSbP наблюдалась затяжка спектра КЛ в низкоэнергетичную область, что вызвано фотонным дрейфом носителей. Эффект затяжки спектра подавлялся в присутствии подложки, что обусловлено падением квантового выхода люминесценции при увеличении деформации.
Установлено увеличение вероятности безызлучательной рекомбинации на дислокациях несоответствия твердого раствора при возрастании степени упругой деформации кристалла.