Фотолюминесценция InP, легированного висмутом

Исследована фотолюминесценция InP$\langle$Bi$\rangle$, полученного жидкофазной эпитаксией. Обнаружено, что изовалентное легирование висмутом приводит к более однородному пространственному распределению электрически активных фоновых примесей, а также к некоторому увеличению концентрации мелкого акцептора цинка. Обсуждаются возможные причины этих явлений.