RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1988
, том 22,
выпуск 7,
страницы
1311–1313
(Mi phts2965)
Краткие сообщения
Влияние легирования серой на образование глубоких центров в
$n$
-InP при облучении
Т. И. Кольченко
,
В. М. Ломако
, С. Е. Мороз
Полный текст:
PDF файл (465 kB)
©
МИАН
, 2024