RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1311–1313 (Mi phts2965)

Краткие сообщения

Влияние легирования серой на образование глубоких центров в $n$-InP при облучении

Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз




© МИАН, 2024