А. А. Гуткин, Н. М. Колчанова, Т. С. Лагунова, А. Е. Плотицын, М. А. Рещиков, Б. Е. Саморуков, “Эффект Холла в $p$-GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 8,страницы 1387

Эффект Холла в $p$-GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$

А. А. Гуткин, Н. М. Колчанова, Т. С. Лагунова, А. Е. Плотицын, М. А. Рещиков, Б. Е. Саморуков

Аннотация: Исследовалась температурная зависимость эффекта Холла в $p$-GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$. Найдено, что фактор вырождения уровня Мn меньше 4. Этот факт объяснен расщеплением основного состояния нейтрального акцептора Mn$_{\text{Ga}}$, которое является следствием обменного взаимодействия дырки на центре с электронами $3d$-оболочки Мn.