Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур

Приводятся результаты исследований радиационной деградации фотоэлектрических параметров AlGaAs-гетероструктур при облучении протонами с энергией 6.7 МэВ. Определены значения коэффициента повреждения длины диффузионного смещения дырок в $n$-GaAs, составившие ${\sim2\cdot10^{-4}}$. Показано, что повышенная радиационная стойкость обеспечивается в структурах с толщиной фотоактивного слоя $p$-GaAs в диапазоне ${0.3\div1.0}$ мкм, а также при пропускании в процессе облучения через структуру прямого тока.