Особенности термомагнитных эффектов в $n$-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик

На некомпенсированных кристаллах Ge : Sb и Ge : As с концентрациями электронов ${3.5\cdot10^{16}{-}1.4\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ в интервале температур ${5\leqslant T\leqslant95}$ K измерены зависимости коэффициентов поперечного $Q^{\perp}$ и продольного $Q^{\parallel}$ эффектов Нернста–Эттингсгаузена от температуры и магнитного поля. Для большинства исследованных образцов на кривых $|Q^{\perp}(T)|$ наблюдался максимум при температуре, близкой к температуре максимума термоэдс $|\alpha(T)|$. На образцах с концентрациями электронов $n$ ниже критической концентрации $n_{c}$, соответствующей переходу металл–диэлектрик, обнаружена смена знака как $Q^{\perp}(T)$, так и $Q^{\parallel}(T)$. Предлагается качественная интерпретация некоторых особенностей исследованных эффектов.