RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1281–1287 (Mi phts299)

Экситоны в структурах с квантовыми ямами

Ал. Л. Эфрос

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Аналитически исследуется зависимость структуры спектра экситонных переходов от толщины квантовой ямы $d$. Показано, что в случае, когда толщина $d$ много меньше боровского радиуса экситона, задача сводится к решению одномерного уравнения Шредингера, полученного в адиабатическом приближении и описывающего движение дырки. Использование этого уравнения позволило в двух предельных случаях точно найти структуру экситонного спектра. Показано также, что если ${d\gg a}$, то зависимость экситонных переходов от толщины ямы $d$ определяется размерным квантованием экситона как целого. Указаны пределы, в которых полученные результаты могут применяться для полупроводников с вырожденной валентной зоной.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.12.1985
Принята в печать: 23.01.1986



© МИАН, 2024