Излучательная рекомбинация халькогенидов кадмия, индуцированная низкотемпературной пластической деформацией

Приведены результаты спектральных исследований фотолюминесценции (ФЛ) полупроводниковых кристаллов халькогенидов кадмия, деформированных пластически при температуре жидкого азота. При этом установлено, что в кристаллах со структурой как вюрцита (CdS, CdSe), так и сфалерита (CdTe) в результате движения дислокаций при низкой температуре образуются дефекты особого типа. Эти дефекты метастабильны и отжигаются уже при комнатной температуре или даже при более низкой, но сохраняют свою структуру при ${T\leqslant77}$ K неограниченно долго. Определены энергетические положения уровней дефектов, а также основные параметры соответствующих им полос излучения. Кроме того, в селениде кадмия обнаружен новый дислокационный центр, стабильный при комнатной температуре, образование которого связывается со скольжением в базисной плоскости.