Особенности фотоотклика гетероструктур GaAs$-$Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с модулированным легированием

Исследованы спектры фоточувствительности $V_{\text{ф}}(\hbar\omega)$ модулированно легированных гетероструктур (МЛГС) GaAs${-}n$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As при энергии квантов возбуждающего света ${\hbar\omega\gtrsim1.35}$ эВ и различной величине напряжения смещения $U_{\text{см}}$, а также кинетика фотоэдс $V_{\text{ф}}(t)$ при различной интенсивности и разном спектральном составе импульсного освещения. Рассмотрены возможные механизмы формирования фотоотклика в исследованных гетероструктурах, приводящие, в частности, к резким изломам на экспериментальных кривых $V_{\text{ф}}(t)$ и $V_{\text{ф}}(U_{\text{см}})$. Показано, что обнаруженные особенности фотоотклика можно использовать для определения величины изгиба зон (в том числе обогащающего) в слое GaAs на границе с Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в реальных МЛГС и проводить экспрессную экспериментальную оценку глубины двумерного электронного канала при комнатной температуре (не требуется изготовления омических контактов к слою GaAs и охлаждения образца до гелиевой или азотной температуры).
Показана возможность использования спектров $V_{\text{ф}}(\hbar\omega)$ изготовленных МЛГС для определения эффективной диффузионной длины неосновных носителей в эпитаксиальных слоях GaAs.