RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 149–152 (Mi phts30)

Краткие сообщения

Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования

П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. Ю. Ширяев

Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

Поступила в редакцию: 18.06.1985
Принята в печать: 12.07.1985



© МИАН, 2025