RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 1,
страницы
149–152
(Mi phts30)
Краткие сообщения
Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования
П. А. Александров
,
Е. К. Баранова
,
К. Д. Демаков
,
Ф. Ф. Комаров
,
А. П. Новиков
,
С. Ю. Ширяев
Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск
Поступила в редакцию:
18.06.1985
Принята в печать:
12.07.1985
Полный текст:
PDF файл (5428 kB)
©
МИАН
, 2025