Электрические и оптические свойства полупроводника $a$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$

Для негидрогенизованных пленок $a$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ получены зависимости оптической ширины запрещенной зоны $E_{0}$ и фоточувствительности $\Delta\sigma_{\text{ф}}/\sigma_{\text{т}}$ от $x$. Установлено, что эти зависимости немонотонные и имеют максимумы вблизи ${x=0.03}$. Значения $E_{0}$ и $\Delta\sigma_{\text{ф}}/\sigma_{\text{т}}$ в максимумах равны соответственно 1.72 эВ и ${\sim10^{-2}}$. После отжига в вакууме при $400^{\circ}$С величина фоточувствительности возрастает до 15, а темновой проводимости $\sigma_{\text{т}}$ падает примерно на 2 порядка и становится сравнимой с $\sigma_{\text{т}}$ для $a$-Si : Н. Положение максимума на зависимости $\Delta\sigma_{\text{ф}}/\sigma_{\text{т}}(x)$ смещается при отжиге в сторону уменьшения $x$. Полученные результаты объясняются снижением плотности дефектных локализованных состояний при внедрении малых концентраций атомов германия в случайную сетку аморфного кремния.