Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов $p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te/$n$-PbTe$_{0.92}$Se$_{0.08}$

Исследованы вольтамперные характеристики гетеропереходов $p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te/$n$-PbTe$_{0.92}$Se$_{0.08}$. Показано, что при прямых и малых обратных смещениях в $p{-}n$-переходе гетероструктур указанного типа преобладает ток, обусловленный процессами генерации-рекомбинации носителей в области пространственного заряда (ОПЗ). Эффективное время жизни носителей, рассчитанное в рамках данной модели, составило $0.1{-}1.0$ нс. Обратный ток в интервале смещений ${0.03\lesssim|V|\lesssim 0.4}$ В может быть описан моделью многоступенчатого туннелирования по состояниям в запрещенной зоне. Установлена корреляция между величиной эффективного времени жизни носителей в ОПЗ и объемной плотностью таких состояний. Это позволило предположить участие одних и тех же дефектов как в туннелировании при обратных смещениях, так и в генерационно-рекомбинационных процессах при прямых смещениях. Такими дефектами, вероятно, являются дислокации несоответствия. Несмотря на совпадение параметров кристаллических решеток эпитаксиальных слоев $p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te и $n$-PbTe$_{0.92}$Se$_{0.08}$ вблизи гетерограницы, дислокации несоответствия в структуре могут генерироваться вследствие различия коэффициентов термического расширения сопрягающихся материалов и градиента параметра кристаллической решетки слоя PbTeSe, обусловленного сегрегацией селена в процессе эпитаксиального наращивания. В работе приведены также данные по измерениям спектральных и вольтфарадных характеристик $p{-}n$-переходов на гетероструктурах $p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te/$n$-PbTe$_{0.92}$Se$_{0.08}$.