RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1292–1297 (Mi phts301)

Температурное тушение фотолюминесценции в аморфном гидрированном кремнии

А. А. Андреев, А. В. Жерздев, А. И. Косарев, И. С. Шлимак

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Исследованы закономерности температурного тушения фотолюминесценции в аморфном гидрированном кремнии при температурах выше 77 K. Для объяснения экспериментальных данных предлагается модель тушения люминесценции, основанная на процессе термоактивированного туннелирования дырок из центров излучательной рекомбинации.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 19.12.1985
Принята в печать: 02.02.1986



© МИАН, 2024