RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 8, страницы 1526–1528 (Mi phts3021)

Краткие сообщения

Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов

В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. Б. Строкан




© МИАН, 2024