RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1988
, том 22,
выпуск 8,
страницы
1526–1528
(Mi phts3021)
Краткие сообщения
Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
В. М. Андреев
,
В. К. Еремин
,
Н. Б. Строкан
Полный текст:
PDF файл (355 kB)
©
МИАН
, 2024