Аннотация:
Освещены новейшие достижения в области создания
униполярных транзисторов, использующих поперечный перенос горячих
электронов через базу. Описаны различные типы таких транзисторов,
в которых для создания необходимого потенциального рельефа применяются
либо специальное планарное легирование, либо тонкослойные гетероструктуры.
Наряду с приборами традиционного типа рассмотрены конструкции, дополненные
туннельно-резонансными элементами. Описано применение и тех, и других для
физических исследований, в частности для спектроскопии функции распределения
горячих электронов в базе транзистора. Кратко представлено состояние теории
электронных процессов в таких приборах.