RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 9, страницы 1574–1579 (Mi phts3027)

Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах

М. М. Аникин, М. Е. Левинштейн, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин


Аннотация: Впервые экспериментально обнаружен знакопеременный характер изменения температурного коэффициента напряжения (ТКН) лавинного пробоя $\beta$ с температурой в $p{-}n$-структуpax на основе гексагональных $6H$- и $4H$-политипов карбида кремния при направлении поля $E$ в переходе, параллельном гексагональной оси $C$ (${E\parallel C}$). На основании полученных результатов высказано предположение о том, что отрицательный знак $\beta$ в SiC при ${E\parallel C}$ возникает за счет влияния глубоких примесей, а не в результате минизонной структуры зоны проводимости, как предполагалось ранее.



© МИАН, 2024