Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках

Аналитически при малых компенсациях и с помощью моделирования на ЭВМ в широком диапазоне компенсаций вычислена функция распределения градиентов электрических полей на нейтральных донорах в примесной зоне слабо легированного компенсированного полупроводника при низких температурах. Вычисленная функция распределения определяет форму спектральной линии перехода между состояниями $1s$ и $2p_{0}$ мелкого донора в GaAs в экспериментах по фототермической магнитной спектроскопии.