Низкотемпературный примесный пробой в аморфных пленках CdGeAs$_{2}$, легированных Ni

Изучена электропроводность аморфных пленок CdGeAs$_{2}$, легированных Ni, в электрических полях ${F <6\cdot10^{3}}$ В/см при температурах ${4.2\div530}$ K. Показано, что зависимости ${\sigma=\sigma(T,F)}$ связаны с существованием зоны примесных состояний шириной порядка 0.1 эВ и расположенной в непосредственной близости от потолка валентной зоны. В образцах, содержащих 0.5 вес% Ni, в интервале температур ${4.2\div12}$ K наблюдается низкотемпературный примесный пробой (увеличение тока на 3$-$4 порядка при почти неизменном напряжении на образце). С увеличением $T$ выше 12 K примесный пробой сопровождается эффектом переключения, а вольтамперные характеристики (ВАХ) приобретают вид, типичный для условий, когда возникновение отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) приводит к шнурованию тока. ВАХ образцов с большей (2.0 вес%) концентрацией Ni имеют лишь участки с ОДС; участки вертикального роста тока не наблюдаются.