RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 9, страницы 1610–1613 (Mi phts3034)

Нелинейное поглощение ИК излучения в дырочном германии при низких температурах

В. М. Васецкий, В. Н. Порошин, О. Г. Сарбей, Э. С. Саркисян


Аннотация: Исследовано поглощение излучения СO$_{2}$-лазера в $p$-Ge с концентрацией примеси ${N_{\text{а}}-N_{\text{д}}=3\cdot10^{16}\div2\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ в широком диапазоне изменения интенсивности излучения и температур. При низких температурах (${T\lesssim25}$ K) обнаружено возрастание коэффициента поглощения с ростом интенсивности света. Показано, что нелинейность поглощения связана с разогревом дырочного газа в поле световой волны и возрастанием за счет этого вклада в поглощение света прямых фотопереходов носителей между зонами легких и тяжелых дырок.



© МИАН, 2024