Одночастотный режим вынужденного излучения в кристаллах $p$-Ge в полях $\mathbf{E}_{0}\parallel\mathbf{B}_{0}\parallel\langle100\rangle$

Получено вынужденное излучение в диапазоне 104$-$156 ГГц из кристаллов Ge с остаточной примесью Аl в полях $\mathbf{E}_{0}\parallel\mathbf{B}_{0}\parallel\langle100\rangle$. Проведены исследования влияния поперечных размеров образца на спектр излучаемых частот. Показано, что с уменьшением толщины образца зона генерации сужается и реализуется одночастотный режим излучения. Экспериментально установленные значения абсолютных отрицательных эффективных масс (ОЭМ) дырок ${|m_{c}|=(0.26+0.35)m_{0}}$ близки к теоретическим значениям масс на оси конуса ОЭМ.