Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au$-$ZnS

В широком температурном интервале (${77\div380}$ K) изучены прямые ветви вольтамперных характеристик (ВАХ) электролюминесцентных диодов Au$-$ZnS. Установлено, что высота потенциального барьера, определенная независимыми методами (емкостным, электрическим, из температурной зависимости термоэлектронного тока), составляет величину ${2.5\pm0.05}$ эВ при 300 K. Комплексное исследование электрофизических свойств структур свидетельствует о том, что диэлектрический слой между металлом и полупроводником можно не учитывать. Прямой ток при малых смещениях описывается в рамках модели, учитывающей рекомбинацию в области пространственного заряда через донорно-акцепторные пары. Дырки на акцепторные уровни при этом попадают туннельным путем. При повышении напряжения рекомбинационный ток ограничивается туннельным во всем исследуемом температурном диапазоне. В области низких (${T<200}$ K) температур туннельные процессы полностью определяют наблюдаемые на опыте начальные участки ВАХ. При больших смещениях прямой ток контролируется надбарьерным прохождением носителей.