С. В. Демишев, Ю. В. Косичкин, В. И. Ларчев, А. Г. Ляпин, С. В. Попова, Г. Г. Скроцкая, Н. Е. Случанко, “Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 9,страницы 1666

Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия

С. В. Демишев, Ю. В. Косичкин, В. И. Ларчев, А. Г. Ляпин, С. В. Попова, Г. Г. Скроцкая, Н. Е. Случанко

Аннотация: По временным и температурным зависимостям удельного сопротивления у объемных образцов $\alpha$-GaSb определена температура кристаллизации ${T_{c}=340}$ K и впервые рассчитана энергия активации роста кристаллитов ${\Delta E= 116}$ кДж/моль. Проведено сопоставление полученных результатов с данными дифференциального термического анализа. Исследованы процессы структурной релаксации; показано, что наряду со специфическими особенностями релаксация аморфных образцов имеет общие черты с отжигом дефектов в кристаллическом образце.