RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 9, страницы 1702–1704 (Mi phts3056)

Краткие сообщения

О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs

А. В. Картавых, А. В. Марков




© МИАН, 2024