RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1988
, том 22,
выпуск 9,
страницы
1702–1704
(Mi phts3056)
Краткие сообщения
О связи концентрации глубоких центров
EL2
и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
А. В. Картавых
,
А. В. Марков
Полный текст:
PDF файл (483 kB)
©
МИАН
, 2024