RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10, страницы 1729–1742 (Mi phts3065)

Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$

П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов Н. Н.


Аннотация: Рассмотрена взаимосвязь технических и физических аспектов реализации метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) с его преимуществами. Приводятся данные по физико-химическим закономерностям роста и легирования соединений $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$ и гетероструктур на их основе при МПЭ, уровень понимания которых в последнее время существенно повысился. Рассмотрены особенности варианта МПЭ с использованием молекулярных пучков металлоорганических соединений. Приводятся данные о последних достижениях в области получения материалов и структур с помощью МПЭ.



© МИАН, 2024