Нестационарные токи двойной инжекции в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок

Предложена модель нестационарных процессов двойной инжекции в полупроводниках в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок. Получены аналитические выражения изменения напряжения, концентраций и полей во времени при постоянном и линейно нарастающем токе через структуры. В случае линейного нарастания тока возможно возникновение колебаний напряжения с периодом в два пролетных времени подвижных носителей заряда через объем полупроводника с насыщенной скоростью ${T=2\tau_{s}=2W/v_{s}}$. Приведены результаты экспериментов по двойной инжекции для кремниевых диодов при насыщенных скоростях дрейфа электронов и дырок. Характерное время спада напряжения на диоде в подобном режиме равно пролетному времени $\tau_{s}$. Проведенный численный расчет двойной инжекции в исследуемых режимах подтвердил справедливость теоретической модели и хорошо совпал с экспериментальными данными.