Пробой кремниевых $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диодов

Показано, что при низких токах пробоя на вольтамперных характеристиках (ВАХ) кремниевых $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диодов могут наблюдаться участки малого отрицательного наклона; отрицательное дифференциальное сопротивление (ОДС) на этих участках обусловлено значительным различием коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в кремнии. В тонких $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-диодах величина плотности тока, с которой начинается область ОДС на ВАХ, растет с уменьшением длины $n$-базы $l_{n}$, область ОДС исчезает только при ${l_{n}=0}$.