Аналитическая теория отрицательной дифференциальной подвижности в гетероструктурах GaAs$-$AlGaAs

Разработана аналитическая модель для описания переноса горячих электронов и определения полевых зависимостей средней дрейфовой скорости $v$ и дифференциальной подвижности $\mu_{d}$ в слоистых гетероструктурах с продольным протеканием тока на основании известных кинетических характеристик объемных материалов. Показано, что при оптимальном подборе соотношения толщин слоев и энергетического зазора на границе перехода в гетероструктуре GaAs$-$AlGaAs величина $\mu_{d}$ может существенно превышать $\mu_{d}$ объемного чистого GaAs.