Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния

Исследовано влияние температуры изохронного отжига на электрическую проводимость кристаллов кремния, облученных быстрыми нейтронами, тепловыми и быстрыми нейтронами при кадмиевом отношении 20. Показано, что электрическая проводимость кристаллов, облученных быстрыми нейтронами, целиком определяется дефектным центром с акцепторным уровнем ${E_{v}+0.45}$ эВ. Совокупность свойств глубокого дефектного уровня ${E_{v}+0.45}$ эВ (энергия ионизации, стабильность вплоть до ${T_{\text{отж}}=600^{\circ}}$С, превращение в диапазоне ${600 < T_{\text{отж}} < 610^{\circ}}$С в более мелкие акцепторные уровни, влияние на его концентрацию повторного отжига) указывает на то, что данный уровень относится к неидентифицированным.
Акцепторный уровень ${E_{v}+0.45}$ эВ обнаруживается также и в кристаллах, легированных фосфором в процессе ядерной трансмутации изотопа кремния ${}^{30}$Si. Предложена модель аддитивного существования дефектных центров с акцепторными уровнями и трансмутационного фосфора, описывающая зависимость электрической проводимости кристаллов от режима облучения и термообработки (ход кривых изохронного отжига).