С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский, “Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10,страницы 1803

Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ

С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский

Аннотация: Разработана теоретическая модель метода определения времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении импульсным электронным пучком в растровом электронном микроскопе (РЭМ) с использованием барьера Шоттки для регистрации сигнала тока, индуцированного электронным зондом. Метод экспериментально реализован в РЭМ с временны́м разрешением 50 пс. Приведены результаты определения электрофизических параметров при исследовании эпитаксиальных слоев GaAs с различной концентрацией легирующей примеси. Измеренные в эксперименте значения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей позволяют рассчитать коэффициент диффузии и подвижность в локальной области полупроводника.