Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs

Показано, что имплантация ионов галлия и мышьяка в нелегированные полуизолирующие кристаллы арсенида галлия приводит к уменьшению абсолютного значения слоевого коэффициента Холла $R_{HS}$, а постимплантационный отжиг под пленкой двуокиси алюминия в интервале температур ${400\div650^{\circ}}$С — к его частичному или полному восстановлению. Установлено образование слоев $p$-типа с концентрацией дырок до ${4\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ в кристаллах, имплантированных ионами галлия и отожженных при температурах ${T_{\text{отж}}>740^{\circ}}$С. Исходя из величины энергии активации проводимости в слоях, равной ${0.22\pm0.01}$ эВ, сделано предположение о том, что дырочная проводимость обусловлена формированием в материале в условиях избытка галлия акцепторных центров Ga$_{\text{As}}$.