Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs

В интервале температур ${2\lesssim T\lesssim100}$ K проведены исследования проводимости и отрицательного магнитосопротивления (ОМС) двумерного электронного газа (2МЭГ) на гетерогранице AlGaAs/GaAs, в том числе в условиях частичного снятия вырождения 2МЭГ и в условиях замороженной фотопроводимости. На основе анализа ОМС определены величина и зависимость от температуры времени релаксации фазы волновой функции электрона $\tau_{\varphi}$. Показано, что эти данные и температурная зависимость проводимости в магнитном поле ${H=1.5}$ кГс и при ${H=0}$ согласуются между собой в рамках теории квантовых поправок, что позволило определить константы электрон-электронного взаимодействия. Показано также, что время определяется суммой двух вкладов с разной температурной зависимостью: ${\tau^{-1}_{\varphi1}\sim T}$ и ${\tau^{-1}_{\varphi2}\sim T^{2}}$. Исследование эффекта разогрева 2МЭГ в области температур; где ${\tau_{\varphi}\simeq\tau_{\varphi2}}$, позволило установить, что это время определяется электрон-электронными а не электрон-фононными (как в металлических пленках) взаимодействиями. Зависимости $\tau_{\varphi1}$ и $\tau_{\varphi2}$ от сопротивления и концентрации 2МЭГ согласуются с теоретическими представлениями о временах, определяемых электрон-электронным взаимодействием с малой (для $\tau_{\varphi1}$) и большой (для $\tau_{\varphi2}$) передачей импульса.