Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP

Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов InGaAsP/InP с различным несоответствием параметров решеток (НПР). Показано, что НПР, на порядок снижающие эффективность электролюминесценции, гораздо слабее сказываются на фотоэлектрических свойствах: фоточувствительность падает не более чем в 2$-$3 раза, а в некоторых случаях даже растет. Экспериментальные результаты объяснены влиянием двух процессов, обусловленных НПР: увеличением рекомбинационных потерь в фотоактивном слое и изменением зонного профиля гетероперехода. Построены зонные профили неидеальных гетеропереходов с помощью зависимостей фототока от приложенного смещения и показано, что, несмотря на малую скорость рекомбинации на гетерогранице, поверхностные состояния могут существенно влиять на эффективность разделения носителей, изменяя величину «обратного» барьера. Проведено математическое моделирование спектра фототока, позволившее оценить параметры эпитаксиальных слоев: коэффициент поглощения $k$, диффузионную длину $L$, скорость поверхностной рекомбинации $S$.