Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии

Сформулированы рекомендации по параметрам слоев, составляющих гетероструктуры с двумерным электронным газом (2МЭГ), обеспечивающие возможность исследования свойств 2МЭГ в широком диапазоне температур. По данным рекомендациям методом стандартной жидкофазной эпитаксии выращены гетероструктуры $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/$p$-GaAs и $n$-InP/$p$-In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As. Экспериментально показано, что благодаря оптимально подобранным параметрам слоев получен нешунтированный в широком температурном интервале (${4.2\div77}$ K) 2МЭГ.