RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 11, страницы 1961–1966 (Mi phts3115)

Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar$^{+}$

В. В. Артамонов, М. Я. Валах, М. П. Лисица, В. Г. Литовченко, Б. Н. Романюк, И. В. Рудской, В. В. Стрельчук


Аннотация: Обнаружен и исследован «эффект больших доз» при имплантации ионов Аr$^{+}$ в монокристаллический кремний. С использованием метода комбинационного рассеяния света показано, что стандартный процесс структурного разупорядочения с ростом дозы имплантации сменяется обратным эффектом восстановления структурного совершенства, сопровождающегося ростом растягивающего напряжения в приповерхностной области кристалла. Обнаружена зависимость эффекта от электронной системы исследуемого образца.



© МИАН, 2024