Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл–полупроводник

Рассмотрено прохождение тока через контакт металл–полупроводник, в котором область объемного заряда является сильно компенсированной. Кроме того, предполагается, что в запрещенной зоне полупроводника имеются локализованные состояния. Сильная компенсация приводит к флуктуационным сужениям барьера, через которые протекает основной ток. Наличие локализованных состояний также облегчает подбарьерное движение электрона, поскольку оно может осуществляться короткими прыжками по этим состояниям. Рассмотрено совместное действие обоих механизмов и получено выражение для логарифма тока.