Подавление динамического эффекта Бурштейна–Мосса оже-разогревом и безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP

Исследовано прохождение интенсивного излучения через тонкий полупроводниковый слой с нелинейным межзонным поглощением в условиях динамического аффекта Бурштейна–Мосса. Показано, что в твердых растворах InGaAsP при комнатной температуре оже-разогрев может приводить к подавлению этого эффекта и образованию растущего участка на зависимости поглощения от интенсивности. Определены и исследованы на устойчивость стационарные состояния плотной электронно-дырочной плазмы. Найдены оптические передаточные характеристики, которые содержат гистерезисный или падающий участок, соответствующий безрезонаторной оптической бистабильности.