Аннотация:
Теоретически изучена релаксация энергии и импульса
горячих электронов при испускании оптических фононов. Энергии
горячих электронов в базе транзистора образуют совокупность
нескольких эквидистантных «уровней». Для функций
распределения электронов на этих уровнях получена
система кинетических уравнений, позволяющая рассчитать коэффициент
усиления транзистора по току с учетом двух механизмов прохождения
базы — баллистического транспорта и диффузионного выноса остывших
носителей. Показано, что наблюдаемые высокие значения
коэффициента усиления объясняются лишь при учете обоих механизмов, причем
главная роль принадлежит диффузионному выносу. Показано, что очень
важен разрыв в валентной зоне на гетерогранице эмиттер–база. Только при
40%-м разрыве можно теоретически наблюдать высокие
значения коэффициента усиления, при 15%-м разрыве теоретическое
значение было бы на порядок меньше экспериментального ввиду
большого тока инжекции дырок из базы в эмиттер.