Аннотация:
Развита теория межзонного многофотонного поглощения
во внешнем однородном электрическом поле E в полупроводниках типа
А$^{\text{III}}$В$^{\text{V}}$ с вырожденной валентной зоной, содержащей
подзоны легких и тяжелых дырок. Получены аналитические выражения для
вероятностей $s$-фотонных переходов из валентной зоны в зону проводимости.
Исследованы случаи параллельной и взаимно перпендикулярной
ориентаций поля E и электрического поля сильной световой
волны $F_{0}\cos wt$. Изучены зависимости поглощения от
интенсивности ${\sim F^{2}_{0}}$
и частоты $\omega$ поглощаемого света, от напряженности поля $E$,
а также от параметров электронной и дырочной зон. Основное
внимание уделено различию вкладов легких и тяжелых дырок в отдельные области
спектра нечетно- и четно-фотонного поглощения. Обнаружен продольно-поперечный
дихроизм многофотонного электропоглощения в рассмотренных
алмазоподобных полупроводниках.