RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 11, страницы 2063–2065 (Mi phts3132)

Краткие сообщения

Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний

А. П. Арзамасцев, А. Б. Данилин




© МИАН, 2026