Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 11, страницы 2063–2065
(Mi phts3132)
|
Краткие сообщения
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования
при имплантации ионов фосфора в кремний
А. П. Арзамасцев, А. Б. Данилин
© , 2026