Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Приведены результаты фотолюминесцентных исследований квантово-размерных AlGaAs/GaAs-гетероструктур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в структурах с толщиной активной области более 100 Å при ${T=300}$ K внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации приближается к 100%, а при уменьшении толщины активной области до 50 Å внутренний квантовый выход падает до 40% из-за термического выброса носителей и последующей безызлучательной рекомбинации в волноводных слоях. При оптической накачке структуры с толщиной активной области 200 Å импульсным лазером (${\lambda=0.58}$ мкм) верхний предел пороговой плотности излучения был эквивалентен плотности тока 250 А/см$^{2}$.