Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации

Приведены результаты фотолюминесцентных исследований AlGaAs/GaAs-гетероструктур, изготовленных МОС гидридной газофазной эпитаксией, и данные первых измерений параметров инжекционных лазеров, изготовленных из структур с $p{-}n$-переходом. При фотолюминесцентных измерениях установлено, что в структурах с толщиной активной области более 300 Å внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации ${\sim100}$%. При уменьшении толщины активной области до 50 Å внутренний квантовый выход падает до ${\sim40}$%. В лазерных диодах с широким контактом получены пороговая плотность тока 250 А/см$^{2}$, дифференциальная эффективность на два зеркала порядка 55%, мощность в непрерывном режиме генерации около 1.4 Вт.