RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 12, страницы 2118–2123 (Mi phts3147)

Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$

И. И. Засавицкий, Л. Ковальчик, Б. Н. Мацонашвили, А. В. Сазонов


Аннотация: Из спектров фотолюминесценции измерена зависимость $E_{g}(x)$ при 4.2 и 77 K для кристаллов Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$S (${0\leqslant x\leqslant0.014}$), Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$Te (${0\leqslant x\leqslant0.015}$) и Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$Se (${0\leqslant x\leqslant0.02}$). Для указанных составов зависимость $E_{g}(x)$ является линейной с соответствующими наклонами 3.2, 3.4 и 3.8 эВ/доля $x$. Из измерений спектров фото- и электролюминесценции в магнитном поле для кристаллов Pb$_{1-x-y}$Mn$_{x}$Sn$_{y}$Se при 4.2 K следует, что имеется большой вклад обменного взаимодействия в $g$-фактор дырок. Определена величина обменного интеграла ${J_{v}=- 0.4 }$ эВ.



© МИАН, 2024