RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 12, страницы 2156–2161 (Mi phts3153)

Исследование электронных свойств полупроводникового соединения Sb$_{2}$Se$_{3}$ в области фазового перехода кристалл–расплав (включая жидкую фазу)

В. М. Глазов, А. И. Фараджов


Аннотация: Проведены экспериментальные исследования электропроводности, термоэдс и магнитной восприимчивости соединения Sb$_{2}$Se$_{3}$ в широком интервале температур, в твердом и жидком состояниях. Выявлены две энергии активации проводимости с ${\Delta E_{\sigma^{}_{1}}\approx 1.1}$ эВ и ${\Delta E_{\sigma^{}_{2}}\approx0.8}$ эВ в жидком Sb$_{2}$Se$_{3}$. Экспериментальные результаты могут быть интерпретированы в рамках модели Мотта. Сделаны выводы о полупроводниковом характере жидкого Sb$_{2}$Se$_{3}$. Прыжковый механизм проводимости по локализованным состояниям является ответственным за аномалии в электронных свойствах, не интерпретируемых в рамках зонной модели.



© МИАН, 2024