Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла

Исходя из анализа влияния тока $I$ и температуры $T$ на ширину холловских плато с числами заполнения ${i=4}$ и 6 при точности эксперимента 0.3 и 0.03% сделан вывод о применимости понятия «электронная температура» ${T_{e}>T}$ в режиме квантового эффекта Холла (КЭХ). При этом зависимость $T_{e}(I)$ с точностью эксперимента совпадает с зависимостями, полученными в слабом магнитном поле или в его отсутствие. Высказано предположение, что возможной причиной этого является инжекция «горячих» носителей из приконтактных областей, где холловское напряжение закорочено токовыми контактами и условие КЭХ не выполняется.