RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 12, страницы 2192–2198 (Mi phts3161)

Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника

С. Г. Петросян, А. Я. Шик


Аннотация: Теоретически рассмотрены неравновесные свойства полупроводниковых твердых растворов, содержащих случайные флуктуации состава и легирования.
Подробно изучено влияние флуктуаций гетеро- и электростатического потенциалов различных масштабов на кинетику рекомбинации и спектры люминесценции твердых растворов. Показано, в частности, что при наличии крупномасштабных флуктуаций составами легирования с соизмеримыми характерной длиной и амплитудой существует целый набор рекомбинационных барьеров, приводящих к долговременным релаксациям и существенной неэкспоненциальности кинетики неравновесных явлений. Это обстоятельство сказывается и на форме спектра люминесценции в процессе ее спада. Как правило, в этом случае коротковолновое крыло люминесценции затухает со временем значительно медленнее, чем длинноволновое. С ростом интенсивности возбуждения релаксационные процессы ускоряются за счет экранировки рекомбинационных барьеров неравновесными носителями. Этими же закономерностями характеризуются и неравновесные свойства сильно легированных компенсированных твердых растворов с крупномасштабными флуктуациями состава.



© МИАН, 2024