Захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика в $p{-}n$-переходах

Теоретически изучены захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика в $p{-}n$-переходах с уровнями прилипания в области объемного заряда. Показано, что установление фототока идет в два этапа. Получены аналитические выражения для второго, медленного, этапа релаксации в случаях включения и выключения освещения. Рассмотрен захват носителей в неоднородных полупроводниках, когда роль центров прилипания играют минимумы потенциала неоднородностей.